Главная / Без рубрики / Расчёт надёжности электронного устройства по схеме

Расчёт надёжности электронного устройства по схеме

Введение

Расчёт надёжности по принципиальной электрической схеме — ключевой этап проектирования электронных устройств. Он позволяет:

  • оценить вероятность безотказной работы в заданных условиях;
  • выявить «слабые звенья» схемы;
  • сравнить альтернативные схемотехнические решения;
  • обосновать требования к элементам и условиям эксплуатации;
  • спланировать техническое обслуживание и запасы комплектующих.

В статье рассмотрены:

  • базовые понятия и допущения;
  • методы расчёта для разных типов соединений;
  • учёт режимов работы и внешних факторов;
  • алгоритмы и примеры вычислений;
  • программные инструменты;
  • ограничения и практические рекомендации.

1. Базовые понятия и допущения

1.1. Основные термины

  • Надёжность — способность устройства выполнять заданные функции в заданных условиях в течение требуемого времени.
  • Отказ — нарушение работоспособности, требующее вмешательства для восстановления.
  • Интенсивность отказов (λ) — вероятность отказа элемента в единицу времени при условии, что до этого момента отказ не произошёл (единицы: 1/ч, FPMH, FIT).
  • Вероятность безотказной работы (P(t)) — вероятность, что устройство не откажет за время t.
  • Наработка на отказ (MTBF) — среднее время между отказами для восстанавливаемых систем.

1.2. Допущения при расчёте

  • Отказы элементов независимы (выход из строя одного не влияет на другие).
  • Интенсивность отказов постоянна (λ = const, экспоненциальное распределение времени до отказа).
  • Устройство работает в номинальном режиме (без перегрузок).
  • Внешние факторы (температура, влажность, вибрация) учитываются коэффициентами.
  • Ремонт/замена элементов в процессе работы не рассматривается (для MTBF — иное).

2. Методы расчёта по типу соединения элементов

2.1. Последовательное соединение (основной случай)

Суть: отказ любого элемента ведёт к отказу всей цепи.

Формула для P(t):

P(t)=i=1∏n​Pi​(t)=e−∑i=1n​λi​t,

где:

  • Pi​(t) — вероятность безотказной работы i-го элемента;
  • λi​ — интенсивность отказов i-го элемента;
  • n — число элементов в цепи.

Формула для λ системы:

λсист​=i=1∑n​λi​.

Пример:
Схема содержит 3 резистора (λ₁ = 10 FIT), 2 конденсатора (λ₂ = 50 FIT), 1 транзистор (λ₃ = 200 FIT).

λсист​=3⋅10+2⋅50+1⋅200=30+100+200=330 FIT.

P(t)=e−330⋅10−9⋅t.

Для t = 10 000 ч:

P(10 000)=e−330⋅10−9⋅10 000=e−0,0033≈0,9967 (99,67%).

2.2. Параллельное соединение (резервирование)

Суть: система откажет, только если откажут все параллельные элементы.

Формула для P(t) (для двух элементов):

P(t)=1−(1−P1​(t))(1−P2​(t))=1−e−(λ1​+λ2​)t+e−(λ1​+λ2​)t.

Для n идентичных элементов с λ:

P(t)=1−(1−e−λt)n.

Пример:
Два одинаковых блока питания (λ = 500 FIT) в горячем резерве.
Для t = 5 000 ч:

P1​(t)=P2​(t)=e−500⋅10−9⋅5 000=e−0,0025≈0,9975.

Pсист​(t)=1−(1−0,9975)2=1−0,00252=1−0,00000625≈0,999994 (99,9994%).

2.3. Смешанные соединения

Алгоритм:

  1. Выделить подсистемы с последовательным/параллельным соединением.
  2. Рассчитать P(t) для каждой подсистемы.
  3. Заменить подсистему эквивалентным элементом с λₑₚᵥ.
  4. Повторить для всей схемы.

Пример:
Схема: (R₁ + R₂) ∥ (R₃ + R₄), где все резисторы имеют λ = 10 FIT.

  • Для каждой последовательной пары: λ = 10 + 10 = 20 FIT.
  • Для параллельного соединения двух пар:P(t)=1−(1−e−20⋅10−9t)2.

3. Учёт режимов работы и внешних факторов

3.1. Коэффициенты влияния

Интенсивность отказов корректируется множителями:

λраб​=λном​⋅KT​⋅KU​⋅KI​⋅Kмех​⋅…,

где:

  • KT​ — температура;
  • KU​ — напряжение;
  • KI​ — ток;
  • Kмех​ — вибрация, удары.

Источники коэффициентов:

  • ГОСТы (например, ГОСТ Р МЭК 61709);
  • MIL‑HDBK‑217 (военный стандарт США);
  • данные производителей;
  • эмпирические модели.

3.2. Температурный коэффициент KT​

Для полупроводников часто используют модель Аррениуса:

KT​=ekEa​​(T0​1​−T1​),

где:

  • Ea​ — энергия активации (эВ);
  • k — постоянная Больцмана (8,617 × 10⁻⁵ эВ/К);
  • T0​ — базовая температура (К);
  • T — рабочая температура (К).

Упрощённые таблицы:

  • При повышении температуры на 10 °C λ может удваиваться.
  • Для кремниевых приборов Ea​ ≈ 0,7 … 1,1 эВ.

3.3. Коэффициенты нагрузки

  • Резисторы: KU​ растёт при превышении номинальной мощности.
  • Конденсаторы: KU​ критичен для электролитических (особенно при высокой температуре).
  • Транзисторы/диоды: KI​ и KU​ зависят от режима (линейный/импульсный).

4. Алгоритм расчёта надёжности по схеме

  1. Составить перечень элементов (по спецификации или схеме).
  2. Определить λ для каждого элемента (справочники, даташиты).
  3. Учесть коэффициенты влияния (KT​, KU​, и т.д.).
  4. Рассчитать λₛᵢˢᵗ для последовательных участков.
  5. Для резервированных участков — вычислить P(t) по формуле параллельного соединения.
  6. Объединить результаты для всей схемы.
  7. Вычислить P(t) и MTBF для заданного времени *

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *